
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 108.37 грн |
10+ | 76.86 грн |
100+ | 44.92 грн |
500+ | 35.56 грн |
1000+ | 32.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CMS45N10H8-HF Comchip Technology
Description: MOSFET N-CH 100V 45A PPAK, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 94.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: P-PAK (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003.9 pF @ 50 V.
Інші пропозиції CMS45N10H8-HF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
CMS45N10H8-HF | Виробник : Comchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 94.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: P-PAK (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003.9 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |