CMUDM7001 TR PBFREE

CMUDM7001 TR PBFREE Central Semiconductor Corp


CMUDM7001.PDF Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.57 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9 pF @ 3 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CMUDM7001 TR PBFREE Central Semiconductor Corp

Description: MOSFET N-CH 20V 100MA SOT523, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 250mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs (Max): 10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.57 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9 pF @ 3 V.

Інші пропозиції CMUDM7001 TR PBFREE за ціною від 8.91 грн до 39.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CMUDM7001 TR PBFREE CMUDM7001 TR PBFREE Виробник : Central Semiconductor Corp CMUDM7001.PDF Description: MOSFET N-CH 20V 100MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.57 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9 pF @ 3 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.79 грн
11+28.97 грн
100+18.04 грн
500+11.58 грн
1000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.