Продукція > CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP > CP591X-2N2907A-CT20
CP591X-2N2907A-CT20

CP591X-2N2907A-CT20 Central Semiconductor Corp

CP591X-2N2907A_WPD.PDF
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS PNP 60V 0.6A DIE
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CP591X-2N2907A-CT20 Central Semiconductor Corp

Description: TRANS PNP 60V 0.6A DIE, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: Die, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: Die, Packaging: Tray.

Інші пропозиції CP591X-2N2907A-CT20

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
CP591X-2N2907A-CT20 Central Semiconductor CP591X-2N2907A_WPD.PDF Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 600mA 10nA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CP591X-2N2907A-CT20 CP591X-2N2907A_WPD.PDF
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 600mA 10nA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.