Продукція > LITTELFUSE INC. > CPC5603CTR
CPC5603CTR

CPC5603CTR Littelfuse Inc.

media?resourcetype=datasheets&itemid=b644b49f-2bee-47a9-96d7-2ef9da88c557&filename=cpc5603
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 0 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 415 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.35V
Supplier Device Package: SOT-223
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
FET Feature: Depletion Mode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 50mA, 350mV
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+29.81 грн
2000+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CPC5603CTR Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 0 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 415 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.35V, Supplier Device Package: SOT-223, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), FET Feature: Depletion Mode, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 50mA, 350mV, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції CPC5603CTR за ціною від 29.29 грн до 86.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CPC5603CTR CPC5603CTR Littelfuse 3cpc5603.pdf Trans MOSFET N-CH Si 415V 0.005A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+55.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC5603CTR CPC5603CTR IXYS CPC5603.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 415V; 0.13A; 2.5W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.13A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 415V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
On-state resistance: 14Ω
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.45 грн
10+43.95 грн
50+40.09 грн
100+38.41 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC5603CTR CPC5603CTR Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=b644b49f-2bee-47a9-96d7-2ef9da88c557&filename=cpc5603 Description: MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 0 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 415 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.35V
Supplier Device Package: SOT-223
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
FET Feature: Depletion Mode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 50mA, 350mV
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.22 грн
10+55.85 грн
100+38.84 грн
500+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC5603CTR CPC5603CTR IXYS Integrated Circuits CPC5603.pdf MOSFETs N Ch Dep Mode FET 415V
на замовлення 12865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CPC5603CTR 3cpc5603.pdf
CPC5603CTR
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH Si 415V 0.005A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+55.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC5603CTR CPC5603.pdf
CPC5603CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 415V; 0.13A; 2.5W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.13A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 415V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
On-state resistance: 14Ω
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+70.45 грн
10+43.95 грн
50+40.09 грн
100+38.41 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC5603CTR media?resourcetype=datasheets&itemid=b644b49f-2bee-47a9-96d7-2ef9da88c557&filename=cpc5603
CPC5603CTR
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 0 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 415 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.35V
Supplier Device Package: SOT-223
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
FET Feature: Depletion Mode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 50mA, 350mV
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.22 грн
10+55.85 грн
100+38.84 грн
500+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC5603CTR CPC5603.pdf
CPC5603CTR
Виробник: IXYS Integrated Circuits
MOSFETs N Ch Dep Mode FET 415V
на замовлення 12865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.