Продукція > ON SEMICONDUCTOR > CPH3215-TL-H
CPH3215-TL-H

CPH3215-TL-H ON Semiconductor

EN6344-D-1803898.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 30V
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CPH3215-TL-H ON Semiconductor

Description: ONSEMI - CPH3215-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1.5 A, 900 mW, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 500MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції CPH3215-TL-H

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CPH3215-TL-H ONSEMI ONSMS36463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CPH3215-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1.5 A, 900 mW, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 500MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH3215-TL-H ONSMS36463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3215-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1.5 A, 900 mW, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 500MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.