CPH3215-TL-H onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 1.5A 3-CP
Power - Max: 900 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Supplier Device Package: 3-CP
Frequency - Transition: 500MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 15mA, 750mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CPH3215-TL-H onsemi
Description: ONSEMI - CPH3215-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1.5 A, 900 mW, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 500MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції CPH3215-TL-H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
CPH3215-TL-H | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 30V |
на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CPH3215-TL-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH3215-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1.5 A, 900 mW, TO-236AB (SOT-23), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 500MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. |
| CPH3215-TL-H |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 30V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 30V
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| CPH3215-TL-H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3215-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1.5 A, 900 mW, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 500MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - CPH3215-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1.5 A, 900 mW, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 500MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



