Продукція > ONSEMI > CPH3350-TL-W
CPH3350-TL-W

CPH3350-TL-W onsemi

ena0151-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 3A 3CPH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Supplier Device Package: 3-CPH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 10 V
на замовлення 78877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1875+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 1875
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CPH3350-TL-W onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 3A 3CPH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Supplier Device Package: 3-CPH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 10 V.

Інші пропозиції CPH3350-TL-W за ціною від 13.27 грн до 13.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CPH3350-TL-W CPH3350-TL-W Виробник : ON Semiconductor ENA0151-D-1803684.pdf MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIES
на замовлення 9439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CPH3350-TL-W Виробник : ONSEMI ONSMS36523-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CPH3350-TL-W - MOSFET, P-CH, -20V, -3A, SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 78877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
CPH3350-TL-W CPH3350-TL-W Виробник : onsemi ena0151-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A 3CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Supplier Device Package: 3-CPH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPH3350-TL-W CPH3350-TL-W Виробник : onsemi ena0151-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A 3CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Supplier Device Package: 3-CPH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.