CPH3351-TL-W

CPH3351-TL-W ON Semiconductor


CPH3351-D-1803542.pdf Виробник: ON Semiconductor
MOSFET PCH 1.8A 60V 4V DRIV
на замовлення 9181 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CPH3351-TL-W ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A 3CPH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA, Supplier Device Package: 3-CPH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 20 V.

Інші пропозиції CPH3351-TL-W

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CPH3351-TL-W CPH3351-TL-W Виробник : onsemi Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A 3CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 3-CPH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.