на замовлення 504000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1158+ | 20.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CPH3413-TL-E onsemi
Description: N-CHANNEL SILICON MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 4V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: 3-CPH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V.
Інші пропозиції CPH3413-TL-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| CPH3413-TL-E | Виробник : SANYO |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| CPH3413TLE | Виробник : SANYO | 05+ SOP28 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| CPH3413-TL-E | Виробник : SAYNO | SOT23 |
на замовлення 2921 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| CPH3413-TL-E | Виробник : Sanyo |
Description: N-CHANNEL SILICON MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 4V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: 3-CPH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |