Продукція > SANYO > CPH3431-TL-E
CPH3431-TL-E

CPH3431-TL-E Sanyo

2156_cph3431d.pdf
Виробник: Sanyo
Description: N-CHANNEL SILICON MOSFET FOR GEN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
790+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CPH3431-TL-E Sanyo

Description: ONSEMI - CPH3431-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 1.8 ohm, CPH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: CPH, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції CPH3431-TL-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CPH3431-TL-E CPH3431-TL-E ONSEMI cph3431d.pdf Description: ONSEMI - CPH3431-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 1.8 ohm, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1023000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH3431-TL-E cph3431d.pdf
CPH3431-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3431-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 1.8 ohm, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1023000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.