Продукція > ONSEMI > CPH3455-TL-W

CPH3455-TL-W onsemi


cph3455-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 35V 3A 3CPH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: 3-CPH
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 637304 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1986+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 1986 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CPH3455-TL-W onsemi

Description: MOSFET N-CH 35V 3A 3CPH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA, Supplier Device Package: 3-CPH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 20 V.

Інші пропозиції CPH3455-TL-W

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
CPH3455-TL-W CPH3455-TL-W ON Semiconductor CPH3455-D-775523.pdf MOSFET NCH 4V Power MOSFET
на замовлення 7812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CPH3455-TL-W CPH3455-D-775523.pdf
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET NCH 4V Power MOSFET
на замовлення 7812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.