Продукція > ONSEMI > CPH3456-TL-W

CPH3456-TL-W onsemi


cph3456-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A 3CPH
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 3-CPH
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
на замовлення 43290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2295+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 2295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CPH3456-TL-W onsemi

Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A 3CPH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: 3-CPH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 10 V.

Інші пропозиції CPH3456-TL-W

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CPH3456-TL-W CPH3456-TL-W ON Semiconductor CPH3456-D-1803588.pdf MOSFET NCH 1.8V DRIVE SERIE
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CPH3456-TL-W CPH3456-D-1803588.pdf
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET NCH 1.8V DRIVE SERIE
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.