
CPH5871-TL-W onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A 5CPH
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Supplier Device Package: 5-CPH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1722+ | 12.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CPH5871-TL-W onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A 5CPH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74A, SOT-753, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), Supplier Device Package: 5-CPH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V.
Інші пропозиції CPH5871-TL-W
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
CPH5871-TL-W | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1673 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
CPH5871-TL-W | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
CPH5871-TL-W | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Supplier Device Package: 5-CPH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |