Продукція > ONSEMI > CPH6341-TL-W
CPH6341-TL-W

CPH6341-TL-W onsemi

cph6341-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 5A 6CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: 6-CPH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.56 грн
6000+16.47 грн
9000+15.75 грн
15000+14.13 грн
21000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CPH6341-TL-W onsemi

Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: CPH, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції CPH6341-TL-W за ціною від 15.94 грн до 60.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W Виробник : ONSEMI 2337999.pdf Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.39 грн
500+18.93 грн
1000+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W Виробник : ONSEMI cph6341-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.6W; SOT26
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT26
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -5A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 59mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.09 грн
13+32.47 грн
14+29.54 грн
100+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W Виробник : ONSEMI 2337999.pdf Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.71 грн
29+30.36 грн
100+24.39 грн
500+18.93 грн
1000+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W Виробник : ONSEMI cph6341-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.6W; SOT26
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT26
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -5A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 59mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.10 грн
8+40.46 грн
10+35.45 грн
100+24.71 грн
500+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W Виробник : onsemi CPH6341_D-1803716.pdf MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.88 грн
10+48.44 грн
100+32.31 грн
500+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W Виробник : onsemi cph6341-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5A 6CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: 6-CPH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
на замовлення 121000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.04 грн
10+40.94 грн
100+27.85 грн
500+21.44 грн
1000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.