Продукція > ONSEMI > CPH6341-TL-W
CPH6341-TL-W

CPH6341-TL-W onsemi

cph6341-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 5A 6CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: 6-CPH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.68 грн
6000+16.57 грн
9000+15.86 грн
15000+14.22 грн
21000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CPH6341-TL-W onsemi

Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: CPH, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції CPH6341-TL-W за ціною від 15.60 грн до 60.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W Виробник : ONSEMI 2337999.pdf Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.58 грн
500+19.69 грн
1000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W Виробник : ONSEMI cph6341-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.6W; SOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
Gate charge: 10nC
Version: ESD
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+42.92 грн
12+35.23 грн
13+32.12 грн
48+19.61 грн
132+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W Виробник : ONSEMI 2337999.pdf Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+44.80 грн
26+33.05 грн
100+25.58 грн
500+19.69 грн
1000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W Виробник : ONSEMI cph6341-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.6W; SOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
Gate charge: 10nC
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.50 грн
7+43.90 грн
10+38.54 грн
48+23.53 грн
132+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W Виробник : onsemi CPH6341_D-1803716.pdf MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.24 грн
10+48.75 грн
100+32.52 грн
500+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W Виробник : onsemi cph6341-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5A 6CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: 6-CPH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
на замовлення 121000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.42 грн
10+41.21 грн
100+28.02 грн
500+21.58 грн
1000+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.