CPH6341-TL-W onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 5A 6CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: 6-CPH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 17.91 грн |
| 6000+ | 15.90 грн |
| 9000+ | 15.21 грн |
| 15000+ | 13.64 грн |
| 21000+ | 13.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CPH6341-TL-W onsemi
Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: CPH, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції CPH6341-TL-W за ціною від 15.60 грн до 57.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CPH6341-TL-W | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.6W; SOT26 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 10nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD Case: SOT26 Drain-source voltage: -30V Drain current: -5A On-state resistance: 59mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CPH6341-TL-W | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: CPH Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CPH6341-TL-W | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.6W; SOT26 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 10nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD Case: SOT26 Drain-source voltage: -30V Drain current: -5A On-state resistance: 59mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 320 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CPH6341-TL-W | Виробник : onsemi |
MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES |
на замовлення 662 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CPH6341-TL-W | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: CPH Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CPH6341-TL-W | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 5A 6CPH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: 6-CPH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V |
на замовлення 121000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|