Продукція > ONSEMI > CPH6341-TL-W
CPH6341-TL-W

CPH6341-TL-W onsemi

cph6341-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 5A 6CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: 6-CPH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+17.89 грн
6000+15.88 грн
9000+15.19 грн
15000+13.63 грн
21000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CPH6341-TL-W onsemi

Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: CPH, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції CPH6341-TL-W за ціною від 17.91 грн до 59.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W ONSEMI 2337999.pdf Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W ONSEMI 2337999.pdf Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.24 грн
26+32.15 грн
100+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W onsemi CPH6341_D-1803716.pdf MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.80 грн
10+44.90 грн
100+29.96 грн
500+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W onsemi cph6341-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5A 6CPH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: 6-CPH
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 121000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.88 грн
10+39.48 грн
100+26.85 грн
500+20.67 грн
1000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W ONSEMI cph6341-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.6W; SOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
Gate charge: 10nC
Version: ESD
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.39 грн
11+41.74 грн
13+35.04 грн
100+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6341-TL-W 2337999.pdf
CPH6341-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6341-TL-W 2337999.pdf
CPH6341-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+50.24 грн
26+32.15 грн
100+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6341-TL-W CPH6341_D-1803716.pdf
CPH6341-TL-W
Виробник: onsemi
MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+51.80 грн
10+44.90 грн
100+29.96 грн
500+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6341-TL-W cph6341-d.pdf
CPH6341-TL-W
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 5A 6CPH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: 6-CPH
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 121000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+57.88 грн
10+39.48 грн
100+26.85 грн
500+20.67 грн
1000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6341-TL-W cph6341-d.pdf
CPH6341-TL-W
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.6W; SOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
Gate charge: 10nC
Version: ESD
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+59.39 грн
11+41.74 грн
13+35.04 грн
100+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.