Продукція > ONSEMI > CPH6341-TL-W
CPH6341-TL-W

CPH6341-TL-W onsemi

CPH6341_D-1803716.pdf
Виробник: onsemi
MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
на замовлення 662 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.57 грн
10+47.30 грн
100+31.55 грн
500+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 6 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CPH6341-TL-W onsemi

Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: CPH, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm.

Інші пропозиції CPH6341-TL-W за ціною від 23.71 грн до 63.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W ONSEMI CPH6341-D.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.6W; SOT26
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Pulsed drain current: -20A
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.16 грн
12+37.78 грн
50+27.31 грн
100+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W ONSEMI 2337999.pdf Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W ONSEMI 2337999.pdf Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6341-TL-W CPH6341-D.PDF
CPH6341-TL-W
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.6W; SOT26
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Pulsed drain current: -20A
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+63.16 грн
12+37.78 грн
50+27.31 грн
100+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6341-TL-W 2337999.pdf
CPH6341-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6341-TL-W 2337999.pdf
CPH6341-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.