CPH6350-TL-W onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 6A 6CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: 6-CPH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.17 грн |
| 6000+ | 10.96 грн |
| 9000+ | 10.44 грн |
| 15000+ | 9.25 грн |
| 21000+ | 9.05 грн |
| 30000+ | 8.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CPH6350-TL-W onsemi
Description: ONSEMI - CPH6350-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.043 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції CPH6350-TL-W за ціною від 10.64 грн до 56.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CPH6350-TL-W | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH6350-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.043 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CPH6350-TL-W | Виробник : onsemi |
MOSFETs P-CH Pwr MOSFET 30V 6A 43 mOhm |
на замовлення 25810 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CPH6350-TL-W | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; Idm: -24A; 1.6W; SOT23 Case: SOT23 Drain-source voltage: -30V Drain current: -6A On-state resistance: 86mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 13nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -24A Mounting: SMD |
на замовлення 2570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CPH6350-TL-W | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 6A 6CPH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: 6-CPH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V |
на замовлення 204122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CPH6350-TL-W | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH6350-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.043 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CPH6350-TL-W | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; Idm: -24A; 1.6W; SOT23 Case: SOT23 Drain-source voltage: -30V Drain current: -6A On-state resistance: 86mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 13nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -24A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2570 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| CPH6350-TL-W | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 57000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
CPH6350-TL-W | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin CPH T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
CPH6350-TL-W | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin CPH T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CPH6350-TL-W | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin CPH T/R |
товару немає в наявності |