Продукція > ONSEMI > CPH6350-TL-W
CPH6350-TL-W

CPH6350-TL-W onsemi

CPH6350-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 6A 6CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: 6-CPH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.77 грн
6000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CPH6350-TL-W onsemi

Description: ONSEMI - CPH6350-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.043 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm.

Інші пропозиції CPH6350-TL-W за ціною від 10.31 грн до 53.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CPH6350-TL-W CPH6350-TL-W onsemi CPH6350-D.PDF MOSFETs P-CH Pwr MOSFET 30V 6A 43 mOhm
на замовлення 25810 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+45.39 грн
10+31.20 грн
100+19.60 грн
500+14.92 грн
1000+12.51 грн
3000+11.12 грн
6000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6350-TL-W CPH6350-TL-W ONSEMI CPH6350-D.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; Idm: -24A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 86mΩ
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 1.6W
на замовлення 2553 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.33 грн
12+36.31 грн
14+30.87 грн
25+25.09 грн
50+21.70 грн
100+19.15 грн
250+16.67 грн
300+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6350-TL-W CPH6350-TL-W onsemi CPH6350-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 6A 6CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: 6-CPH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
на замовлення 100399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.99 грн
10+32.46 грн
50+23.77 грн
100+19.64 грн
500+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6350-TL-W CPH6350-TL-W ONSEMI cph6350-d.pdf Description: ONSEMI - CPH6350-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.043 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6350-TL-W CPH6350-TL-W ONSEMI cph6350-d.pdf Description: ONSEMI - CPH6350-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.043 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6350-TL-W CPH6350-D.PDF
CPH6350-TL-W
Виробник: onsemi
MOSFETs P-CH Pwr MOSFET 30V 6A 43 mOhm
на замовлення 25810 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.39 грн
10+31.20 грн
100+19.60 грн
500+14.92 грн
1000+12.51 грн
3000+11.12 грн
6000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6350-TL-W CPH6350-D.PDF
CPH6350-TL-W
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; Idm: -24A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 86mΩ
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 1.6W
на замовлення 2553 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+53.33 грн
12+36.31 грн
14+30.87 грн
25+25.09 грн
50+21.70 грн
100+19.15 грн
250+16.67 грн
300+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6350-TL-W CPH6350-D.PDF
CPH6350-TL-W
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 6A 6CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: 6-CPH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
на замовлення 100399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.99 грн
10+32.46 грн
50+23.77 грн
100+19.64 грн
500+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6350-TL-W cph6350-d.pdf
CPH6350-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH6350-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.043 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6350-TL-W cph6350-d.pdf
CPH6350-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH6350-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.043 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.