Продукція > ONSEMI > CPH6350-TL-W
CPH6350-TL-W

CPH6350-TL-W onsemi

CPH6350-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 6A 6CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: 6-CPH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+11.22 грн
6000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CPH6350-TL-W onsemi

Description: ONSEMI - CPH6350-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.043 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції CPH6350-TL-W за ціною від 9.94 грн до 51.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
CPH6350-TL-W CPH6350-TL-W ONSEMI cph6350-d.pdf Description: ONSEMI - CPH6350-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.043 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.98 грн
500+14.13 грн
1000+11.70 грн
5000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6350-TL-W CPH6350-TL-W onsemi CPH6350-D.PDF MOSFETs P-CH Pwr MOSFET 30V 6A 43 mOhm
на замовлення 25810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.75 грн
11+30.07 грн
100+18.89 грн
500+14.38 грн
1000+12.05 грн
3000+10.71 грн
6000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6350-TL-W CPH6350-TL-W ONSEMI CPH6350-D.PDF Description: ONSEMI - CPH6350-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.043 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 6785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.24 грн
27+31.08 грн
100+19.98 грн
500+14.13 грн
1000+11.70 грн
5000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6350-TL-W CPH6350-TL-W onsemi CPH6350-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 6A 6CPH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: 6-CPH
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 197956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.54 грн
10+30.77 грн
100+19.78 грн
500+14.11 грн
1000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6350-TL-W ON Semiconductor CPH6350-D.PDF
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6350-TL-W cph6350-d.pdf
CPH6350-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH6350-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.043 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+19.98 грн
500+14.13 грн
1000+11.70 грн
5000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6350-TL-W CPH6350-D.PDF
CPH6350-TL-W
Виробник: onsemi
MOSFETs P-CH Pwr MOSFET 30V 6A 43 mOhm
на замовлення 25810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+43.75 грн
11+30.07 грн
100+18.89 грн
500+14.38 грн
1000+12.05 грн
3000+10.71 грн
6000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6350-TL-W CPH6350-D.PDF
CPH6350-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH6350-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.043 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 6785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+50.24 грн
27+31.08 грн
100+19.98 грн
500+14.13 грн
1000+11.70 грн
5000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6350-TL-W CPH6350-D.PDF
CPH6350-TL-W
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 6A 6CPH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: 6-CPH
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 197956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+51.54 грн
10+30.77 грн
100+19.78 грн
500+14.11 грн
1000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6350-TL-W CPH6350-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.