Продукція > ONSEMI > CPH6636R-TL-W
CPH6636R-TL-W

CPH6636R-TL-W onsemi

CPH6636R.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 24V 6A 6CPH
Supplier Device Package: 6-CPH
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.33 грн
13+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CPH6636R-TL-W onsemi

Description: ONSEMI - CPH6636R-TL-W - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 24 V, 6 A, 0.016 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: CPH, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції CPH6636R-TL-W

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CPH6636R-TL-W CPH6636R-TL-W ON Semiconductor ENA2224-D-348058.pdf MOSFET NCH+NCH 6A 24V 2.5V DRIVE
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6636R-TL-W CPH6636R-TL-W ONSEMI ONSMS36401-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CPH6636R-TL-W - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 24 V, 6 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1338796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6636R-TL-W ONN CPH6636R.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6636R-TL-W ENA2224-D-348058.pdf
CPH6636R-TL-W
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET NCH+NCH 6A 24V 2.5V DRIVE
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6636R-TL-W ONSMS36401-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CPH6636R-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH6636R-TL-W - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 24 V, 6 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1338796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6636R-TL-W CPH6636R.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.