CRS10I30C(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.71 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CRS10I30C(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123F, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5), Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V.
Інші пропозиції CRS10I30C(TE85L,QM за ціною від 9.54 грн до 39.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CRS10I30C(TE85L,QM | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5) Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V |
на замовлення 4242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| CRS10I30C(TE85L,QM |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 4242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 39.97 грн |
| 13+ | 23.62 грн |
| 100+ | 15.04 грн |
| 500+ | 10.66 грн |
| 1000+ | 9.54 грн |