CRS11(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.22 грн |
| 6000+ | 10.77 грн |
| 9000+ | 10.26 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CRS11(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123F, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 30 V.
Інші пропозиції CRS11(TE85L,Q,M) за ціною від 12.90 грн до 52.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CRS11(TE85L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 30 V |
на замовлення 13796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| CRS11(TE85L,Q,M) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 30 V
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 30 V
на замовлення 13796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 52.52 грн |
| 10+ | 31.32 грн |
| 100+ | 20.13 грн |
| 500+ | 14.36 грн |
| 1000+ | 12.90 грн |