CRS30I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 3A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 38.41 грн |
| 11+ | 28.83 грн |
| 100+ | 17.29 грн |
| 500+ | 15.02 грн |
| 1000+ | 10.22 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
9 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CRS30I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 3A S-FLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123F, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5), Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V.
Інші пропозиції CRS30I30A(TE85L,QM
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
CRS30I30A(TE85L,QM | Toshiba |
Schottky Diodes & Rectifiers 30V Vrrm 3.0A IF 50Hz 0.49V VFM |
на замовлення 2269 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CRS30I30A(TE85L,QM |
|
Виробник: Toshiba
Schottky Diodes & Rectifiers 30V Vrrm 3.0A IF 50Hz 0.49V VFM
Schottky Diodes & Rectifiers 30V Vrrm 3.0A IF 50Hz 0.49V VFM
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)