Технічний опис CSA2M-E3/I Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.6A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2.1 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1.6A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції CSA2M-E3/I за ціною від 2.33 грн до 15.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSA2M-E3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.6A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.1 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.6A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| CSA2M-E3/I | Vishay | Diode Switching 1KV 2A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 8249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| CSA2M-E3/I |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.6A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.1 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.6A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.6A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.1 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.6A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CSA2M-E3/I |
Виробник: Vishay
Diode Switching 1KV 2A 2-Pin SMA T/R
Diode Switching 1KV 2A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 8249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 15.71 грн |
| 75+ | 10.37 грн |
| 77+ | 10.16 грн |
| 149+ | 5.02 грн |
| 250+ | 4.47 грн |
| 500+ | 3.31 грн |
| 1000+ | 2.99 грн |
| 3000+ | 2.65 грн |
| 6000+ | 2.33 грн |