Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD13306W
CSD13306W

CSD13306W Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd13306w Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13306WT
на замовлення 2563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.43 грн
11+32.37 грн
100+19.24 грн
500+15.17 грн
1000+13.28 грн
3000+8.75 грн
6000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD13306W Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V.

Інші пропозиції CSD13306W за ціною від 14.70 грн до 46.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD13306W CSD13306W Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd13306w Description: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.53 грн
10+33.25 грн
100+23.10 грн
500+17.25 грн
1000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13306W CSD13306W Виробник : Texas Instruments getliterature.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13306W CSD13306W Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd13306w Description: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.