CSD15380F3T Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 31.22 грн |
| 500+ | 27.04 грн |
| 750+ | 26.50 грн |
| 1250+ | 24.38 грн |
| 1750+ | 23.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD15380F3T Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD15380F3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.99 ohm, LGA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: LGA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FemtoFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.99ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.99ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції CSD15380F3T за ціною від 22.31 грн до 88.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD15380F3T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R |
на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD15380F3T | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 20-V N-Ch FemtoFET |
на замовлення 1178 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD15380F3T | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V |
на замовлення 2519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD15380F3T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD15380F3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.99 ohm, LGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: LGA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FemtoFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.99ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
CSD15380F3T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD15380F3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.99 ohm, LGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: LGA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FemtoFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.99ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.99ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
CSD15380F3T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R |
на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
CSD15380F3T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD15380F3T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| CSD15380F3T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
CSD15380F3T SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |