CSD15571Q2 Texas Instruments
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 7.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD15571Q2 Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 20V 22A 6SON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-SON (2x2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V.
Інші пропозиції CSD15571Q2 за ціною від 8.02 грн до 29.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CSD15571Q2 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 20V 22A 6SON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 6-SON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CSD15571Q2 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 20V 22A 6SON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 6-SON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V |
на замовлення 6455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CSD15571Q2 | Виробник : Texas Instruments | MOSFET 20V N-Channel NexFET Pwr MOSFET |
на замовлення 12902 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CSD15571Q2 Код товару: 130599 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|