Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > CSD16321Q5
CSD16321Q5

CSD16321Q5

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd16321q5
Код товару: 94698
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції CSD16321Q5 за ціною від 39.97 грн до 183.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CSD16321Q5 CSD16321Q5 Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd16321q5 Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.29 грн
5000+44.41 грн
7500+42.86 грн
12500+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5 CSD16321Q5 TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd16321q5 Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16321Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2400 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5 CSD16321Q5 Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd16321q5 MOSFETs N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 4877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.53 грн
10+90.50 грн
100+64.06 грн
250+63.99 грн
500+54.74 грн
1000+48.05 грн
2500+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5 CSD16321Q5 Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd16321q5 Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
на замовлення 14171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.96 грн
10+112.18 грн
100+76.83 грн
500+57.90 грн
1000+53.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5 CSD16321Q5 TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd16321q5 Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16321Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2400 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.63 грн
10+118.39 грн
100+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd16321q5
CSD16321Q5
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+49.29 грн
5000+44.41 грн
7500+42.86 грн
12500+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd16321q5
CSD16321Q5
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16321Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2400 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd16321q5
CSD16321Q5
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 4877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.53 грн
10+90.50 грн
100+64.06 грн
250+63.99 грн
500+54.74 грн
1000+48.05 грн
2500+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd16321q5
CSD16321Q5
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
на замовлення 14171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+180.96 грн
10+112.18 грн
100+76.83 грн
500+57.90 грн
1000+53.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd16321q5
CSD16321Q5
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16321Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2400 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+183.63 грн
10+118.39 грн
100+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.