CSD16322Q5 Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 34.17 грн |
| 5000+ | 31.10 грн |
| 7500+ | 29.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD16322Q5 Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16322Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 97 A, 3900 µohm, SON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 97A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: SON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції CSD16322Q5 за ціною від 32.23 грн до 158.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD16322Q5 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD16322Q5 | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16322Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 97 A, 3900 µohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD16322Q5 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V |
на замовлення 7961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD16322Q5 | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs N-Channel NexFET Pwr MOSFETs |
на замовлення 2891 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD16322Q5 | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16322Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 97 A, 3900 µohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD16322Q5 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD16322Q5 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
CSD16322Q5 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |