Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD16323Q3C

CSD16323Q3C Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=26&gotoUrl=http%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd16323q3c

Виробник: Texas Instruments
MOSFET Dual Cool NCh NexFET Power MOSFET

на замовлення 2050 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис CSD16323Q3C Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SON-EP (3x3), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Vgs (Max): +10V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V.

Інші пропозиції CSD16323Q3C

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
CSD16323Q3C	Виробник : Texas Instruments	Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin SON EP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
CSD16323Q3C	Виробник : Texas Instruments	Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin SON EP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
CSD16323Q3C	Виробник : Texas Instruments	Description: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SON-EP (3x3) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
CSD16323Q3C	Виробник : Texas Instruments	Description: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SON-EP (3x3) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.