Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD16327Q3
CSD16327Q3

CSD16327Q3 TEXAS INSTRUMENTS

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd16327q3
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16327Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 3400 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+53.88 грн
500+39.64 грн
1000+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD16327Q3 TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16327Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 3400 µohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції CSD16327Q3 за ціною від 27.82 грн до 128.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CSD16327Q3 CSD16327Q3 Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd16327q3 MOSFETs N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD16327Q3T
на замовлення 8474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.20 грн
10+74.39 грн
100+43.08 грн
500+33.27 грн
1000+30.03 грн
2500+28.30 грн
5000+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16327Q3 CSD16327Q3 TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd16327q3 Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16327Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 3400 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.06 грн
10+81.35 грн
100+53.88 грн
500+39.64 грн
1000+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16327Q3 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd16327q3
CSD16327Q3
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD16327Q3T
на замовлення 8474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.20 грн
10+74.39 грн
100+43.08 грн
500+33.27 грн
1000+30.03 грн
2500+28.30 грн
5000+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16327Q3 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd16327q3
CSD16327Q3
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16327Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 3400 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+128.06 грн
10+81.35 грн
100+53.88 грн
500+39.64 грн
1000+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.