CSD16327Q3 Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 30.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD16327Q3 Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16327Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0034 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції CSD16327Q3 за ціною від 28.59 грн до 71.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD16327Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 2294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD16327Q3 | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16327Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0034 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD16327Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 2294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD16327Q3 | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET |
на замовлення 14002 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD16327Q3 | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16327Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0034 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD16327Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V |
на замовлення 12522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD16327Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD16327Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD16327Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |