CSD16401Q5 Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 38A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 75.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD16401Q5 Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16401Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0013 ohm, SON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: SON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції CSD16401Q5 за ціною від 70.21 грн до 201.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD16401Q5 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD16401Q5 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD16401Q5 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD16401Q5 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD16401Q5 | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD16401Q5 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 25V 38A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V |
на замовлення 5410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD16401Q5 | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16401Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0013 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD16401Q5 | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16401Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0013 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
CSD16401Q5 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD16401Q5 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |