CSD16570Q5BT Texas Instruments
на замовлення 10925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 149.97 грн |
| 10+ | 108.23 грн |
| 100+ | 83.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD16570Q5BT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V.
Інші пропозиції CSD16570Q5BT за ціною від 82.97 грн до 282.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD16570Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
 Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V |
на замовлення 18296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
CSD16570Q5BT Код товару: 196756
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||
|
|
CSD16570Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
CSD16570Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
CSD16570Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
CSD16570Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
CSD16570Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| CSD16570Q5BT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm Case: VSON-CLIP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 95nC On-state resistance: 0.68mΩ Dimensions: 5x6mm Power dissipation: 195W Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| CSD16570Q5BT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm Case: VSON-CLIP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 95nC On-state resistance: 0.68mΩ Dimensions: 5x6mm Power dissipation: 195W Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |