Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > CSD16570Q5BT

CSD16570Q5BT

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd16570q5b
Код товару: 196756
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції CSD16570Q5BT за ціною від 76.17 грн до 264.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD16570Q5BT CSD16570Q5BT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd16570q5b Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+107.68 грн
500+95.51 грн
750+91.34 грн
1250+81.32 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16570Q5BT CSD16570Q5BT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd16570q5b MOSFETs 25V NCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1657 A 595-CSD16570Q5B
на замовлення 10627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.08 грн
10+167.96 грн
100+81.76 грн
500+76.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16570Q5BT CSD16570Q5BT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd16570q5b Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.94 грн
10+167.08 грн
100+116.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16570Q5BT CSD16570Q5BT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd16570q5b Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16570Q5BT CSD16570Q5BT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd16570q5b Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16570Q5BT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd16570q5b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 95nC
On-state resistance: 0.68mΩ
Dimensions: 5x6mm
Power dissipation: 195W
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: VSON-CLIP8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.