Технічний опис CSD17305Q5A Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A 8VSON, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): +10V, -8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 8V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції CSD17305Q5A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
CSD17305Q5A | Texas Instruments |
MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET |
на замовлення 3489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CSD17305Q5A |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET
MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 3489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




