
CSD17306Q5A Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 37.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17306Q5A Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 22A, 8V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Vgs (Max): +10V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V.
Інші пропозиції CSD17306Q5A за ціною від 33.91 грн до 133.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD17306Q5A | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 2615 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD17306Q5A | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 22A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V |
на замовлення 3601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD17306Q5A | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
CSD17306Q5A | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
CSD17306Q5A | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
CSD17306Q5A | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |