Результат пошуку "csd17308q3 ." : 13
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 250
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD17308Q3 | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Pulsed drain current: 167A Power dissipation: 2.7W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 3.3x3.3mm |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CSD17308Q3 | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CSD17308Q3 | Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CSD17308Q3 | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
CSD17308Q3 | Texas Instruments |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
CSD17308Q3T | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Pulsed drain current: 167A Power dissipation: 2.7W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 9.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 3.3x3.3mm |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CSD17308Q3T | Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CSD17308Q3T | Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CSD17308Q3T | Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CSD17308Q3 | Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CSD17308Q3 | Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CSD17308Q3T | Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CSD17308Q3T | Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
CSD17308Q3 |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 59.26 грн |
10+ | 44.41 грн |
37+ | 24.84 грн |
102+ | 23.50 грн |
250+ | 23.42 грн |
500+ | 22.64 грн |
CSD17308Q3 |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 40.55 грн |
CSD17308Q3 |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 30.27 грн |
CSD17308Q3 |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 87.19 грн |
15+ | 58.49 грн |
100+ | 40.55 грн |
CSD17308Q3 |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 16,5mOhm; 44A; 28W; -55°C ~ 150°C; CSD17308Q3T CSD17308Q3 TCSD17308q3
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 16,5mOhm; 44A; 28W; -55°C ~ 150°C; CSD17308Q3T CSD17308Q3 TCSD17308q3
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 26.40 грн |
CSD17308Q3T |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 82.11 грн |
10+ | 57.22 грн |
25+ | 37.89 грн |
67+ | 35.84 грн |
250+ | 35.06 грн |
CSD17308Q3T |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CSD17308Q3T |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CSD17308Q3T |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
250+ | 39.61 грн |
500+ | 33.97 грн |
1000+ | 32.30 грн |
CSD17308Q3 |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD17308Q3 |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD17308Q3T |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD17308Q3T |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.