CSD17308Q3T Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 41.79 грн |
| 500+ | 34.44 грн |
| 1250+ | 28.05 грн |
| 2500+ | 24.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17308Q3T Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Vgs (Max): +10V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V.
Інші пропозиції CSD17308Q3T за ціною від 24.25 грн до 76.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD17308Q3T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17308Q3T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17308Q3T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD17308Q3T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Pulsed drain current: 167A Power dissipation: 2.7W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 9.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Dimensions: 3.3x3.3mm |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17308Q3T | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V |
на замовлення 3090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD17308Q3T | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 11.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150 |
на замовлення 798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17308Q3T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Pulsed drain current: 167A Power dissipation: 2.7W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 9.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Dimensions: 3.3x3.3mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 218 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17308Q3T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
CSD17308Q3T Код товару: 133334 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
CSD17308Q3T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
CSD17308Q3T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товар відсутній |