на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 59.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17311Q5 Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Vgs (Max): +10V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V.
Інші пропозиції CSD17311Q5 за ціною від 56.95 грн до 177.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD17311Q5 | Виробник : Texas Instruments |
 Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD17311Q5 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V |
на замовлення 7687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CSD17311Q5 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V |
на замовлення 2405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD17311Q5 | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 30V N-Channel NexFET Power MOSFET |
на замовлення 2137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CSD17311Q5 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
CSD17311Q5 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
CSD17311Q5 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
CSD17311Q5 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |