CSD17312Q5 Texas Instruments
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 340+ | 41.70 грн |
| 346+ | 41.06 грн |
| 349+ | 40.64 грн |
| 350+ | 36.20 грн |
| 500+ | 34.71 грн |
| 1000+ | 34.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17312Q5 Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Vgs (Max): +10V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5240 pF @ 15 V.
Інші пропозиції CSD17312Q5 за ціною від 62.34 грн до 301.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD17312Q5 | Texas Instruments |
 Description: MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5240 pF @ 15 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
CSD17312Q5 | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
CSD17312Q5 | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5240 pF @ 15 V |
на замовлення 6002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
CSD17312Q5 | Texas Instruments |
MOSFETs 30V N-Channel NexFET Power MOSFET |
на замовлення 1955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
CSD17312Q5 | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 1810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| CSD17312Q5 | Texas Instruments |
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5240 @ 15, Qg, нКл = 36 @ 4.5 В, Rds = 1.5 мОм @ 35 А, 8 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SON-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 2500 шт |
на замовлення 84 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| CSD17312Q5 |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5240 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5240 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 63.94 грн |
| CSD17312Q5 |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 91.20 грн |
| CSD17312Q5 |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5240 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5240 pF @ 15 V
на замовлення 6002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 199.59 грн |
| 10+ | 124.60 грн |
| 100+ | 90.48 грн |
| 500+ | 69.09 грн |
| CSD17312Q5 |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 30V N-Channel NexFET Power MOSFET
MOSFETs 30V N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 219.07 грн |
| 10+ | 139.72 грн |
| 100+ | 62.34 грн |
| CSD17312Q5 |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 301.80 грн |
| 10+ | 195.97 грн |
| 100+ | 135.39 грн |
| 500+ | 105.60 грн |
| 1000+ | 94.17 грн |
| CSD17312Q5 |
|
Виробник: Texas Instruments
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5240 @ 15, Qg, нКл = 36 @ 4.5 В, Rds = 1.5 мОм @ 35 А, 8 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SON-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5240 @ 15, Qg, нКл = 36 @ 4.5 В, Rds = 1.5 мОм @ 35 А, 8 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SON-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 100.56 грн |