CSD17313Q2Q1 Texas Instruments
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2348+ | 15.10 грн |
| 10000+ | 13.47 грн |
| 100000+ | 11.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17313Q2Q1 Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WSON (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Vgs (Max): +10V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V.
Інші пропозиції CSD17313Q2Q1 за ціною від 15.46 грн до 81.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD17313Q2Q1 | Texas Instruments |
 MOSFETs Auto 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET |
на замовлення 2159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD17313Q2Q1 | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V |
на замовлення 2032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| CSD17313Q2Q1 |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs Auto 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
MOSFETs Auto 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 2159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 79.65 грн |
| 10+ | 49.14 грн |
| 100+ | 28.10 грн |
| 500+ | 21.81 грн |
| 1000+ | 19.74 грн |
| 3000+ | 16.36 грн |
| 6000+ | 15.46 грн |
| CSD17313Q2Q1 |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.55 грн |
| 10+ | 49.36 грн |
| 100+ | 32.41 грн |
| 500+ | 23.57 грн |
| 1000+ | 21.37 грн |