Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD17313Q2Q1T

CSD17313Q2Q1T Texas Instruments

Name: CSD17313Q2Q1T
Brand: Texas Instruments
SKU: 143355-4
Price: 375.93 UAH
Availability: InStock

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2q1

Виробник: Texas Instruments
MOSFET Automotive 30-V N channel NexFET power MOSFET 6-WSON 0 to 0

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	125.31 грн
10+	109.98 грн
100+	74.30 грн
500+	61.94 грн
1000+	48.85 грн
2500+	45.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис CSD17313Q2Q1T Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WSON (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Vgs (Max): +10V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V.

Інші пропозиції CSD17313Q2Q1T

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
CSD17313Q2Q1T	Виробник : TEXAS INSTRUMENTS	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 57A; 17W; WSON6 Mounting: SMD On-state resistance: 42mΩ Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 5A Drain-source voltage: 30V Application: automotive industry Power dissipation: 17W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...10V Pulsed drain current: 57A Case: WSON6 кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
CSD17313Q2Q1T	Виробник : Texas Instruments	Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
CSD17313Q2Q1T	Виробник : TEXAS INSTRUMENTS	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 57A; 17W; WSON6 Mounting: SMD On-state resistance: 42mΩ Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 5A Drain-source voltage: 30V Application: automotive industry Power dissipation: 17W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...10V Pulsed drain current: 57A Case: WSON6	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.