CSD17313Q2T Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 46.02 грн |
| 500+ | 40.21 грн |
| 750+ | 38.12 грн |
| 1250+ | 33.57 грн |
| 1750+ | 32.26 грн |
| 2500+ | 30.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17313Q2T Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WSON (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Vgs (Max): +10V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V.
Інші пропозиції CSD17313Q2T за ціною від 30.58 грн до 129.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD17313Q2T | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD17313Q2T | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Case: WSON6 Gate-source voltage: ±10V Gate charge: 2.1nC Dimensions: 2x2mm On-state resistance: 26mΩ Drain current: 5A Power dissipation: 17W Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1615 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CSD17313Q2T | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V |
на замовлення 17845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD17313Q2T | Texas Instruments |
MOSFETs 30V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD17313Q2 |
на замовлення 4814 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CSD17313Q2T | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| CSD17313Q2T |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 49.57 грн |
| CSD17313Q2T |
|
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 2.1nC
Dimensions: 2x2mm
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 5A
Power dissipation: 17W
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 2.1nC
Dimensions: 2x2mm
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 5A
Power dissipation: 17W
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 81.43 грн |
| 10+ | 61.49 грн |
| 25+ | 51.52 грн |
| 100+ | 44.87 грн |
| CSD17313Q2T |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 17845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 124.26 грн |
| 10+ | 75.98 грн |
| 100+ | 50.94 грн |
| CSD17313Q2T |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 30V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD17313Q2
MOSFETs 30V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD17313Q2
на замовлення 4814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 129.67 грн |
| 10+ | 80.98 грн |
| 100+ | 41.08 грн |
| 500+ | 35.35 грн |
| 1000+ | 31.82 грн |
| 2500+ | 30.58 грн |
| CSD17313Q2T |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)