Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD17313Q2T
CSD17313Q2T

CSD17313Q2T Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+46.98 грн
500+41.05 грн
750+38.92 грн
1250+34.27 грн
1750+32.93 грн
2500+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD17313Q2T Texas Instruments

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 17W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 17W, Bauform - Transistor: WSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції CSD17313Q2T за ціною від 45.60 грн до 134.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CSD17313Q2T CSD17313Q2T Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2 Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+49.46 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2T CSD17313Q2T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 17W
Gate charge: 2.1nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±10V
Dimensions: 2x2mm
Kind of package: reel; tape
Case: WSON6
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.15 грн
10+62.18 грн
25+51.41 грн
100+45.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2T CSD17313Q2T Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2 Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 17826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.08 грн
10+77.61 грн
100+52.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2T CSD17313Q2T Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2 Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.74 грн
10+93.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2T CSD17313Q2T Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2 MOSFETs 30V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD17313Q2
на замовлення 2693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2T CSD17313Q2T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2 Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2T CSD17313Q2T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2 Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 17W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2T CSD17313Q2T Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2 Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2
CSD17313Q2T
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+49.46 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2
CSD17313Q2T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 17W
Gate charge: 2.1nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±10V
Dimensions: 2x2mm
Kind of package: reel; tape
Case: WSON6
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+82.15 грн
10+62.18 грн
25+51.41 грн
100+45.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2
CSD17313Q2T
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 17826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.08 грн
10+77.61 грн
100+52.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2
CSD17313Q2T
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+134.74 грн
10+93.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2
CSD17313Q2T
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 30V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD17313Q2
на замовлення 2693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2
CSD17313Q2T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2
CSD17313Q2T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 17W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2
CSD17313Q2T
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.