CSD17313Q2T Texas Instruments
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 351+ | 36.80 грн |
| 500+ | 35.84 грн |
| 750+ | 35.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17313Q2T Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 17W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 17W, Bauform - Transistor: WSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції CSD17313Q2T за ціною від 25.80 грн до 122.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD17313Q2T | Виробник : Texas Instruments |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17313Q2T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD17313Q2T | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V |
на замовлення 6250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD17313Q2T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Case: WSON6 Gate-source voltage: ±10V Gate charge: 2.1nC Dimensions: 2x2mm On-state resistance: 26mΩ Drain current: 5A Power dissipation: 17W Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1615 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17313Q2T | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V |
на замовлення 6392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD17313Q2T | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 30V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD17313Q2 |
на замовлення 5618 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD17313Q2T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 17W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
CSD17313Q2T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 17W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 17W Bauform - Transistor: WSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
CSD17313Q2T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| CSD17313Q2T | Виробник : Texas Instruments |
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 15, Qg, нКл = 2,7 @ 4,5 В, Rds = 30 мОм @ 4 A, 8 В, Ugs(th) = 1,8 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,4, 17, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: WDFN-6 (Exp. Pa кількість в упаковці: 250 шт |
товару немає в наявності |