CSD17318Q2 Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.79 грн |
| 6000+ | 8.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17318Q2 Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V, Power Dissipation (Max): 16W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WSON (2x2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V.
Інші пропозиції CSD17318Q2 за ціною від 7.05 грн до 47.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD17318Q2 | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 16.9 mOhm 6-WSON -55 to 150 |
на замовлення 6413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17318Q2 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V Power Dissipation (Max): 16W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V |
на замовлення 9069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| CSD17318Q2 | Виробник : Texas Instruments |
N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 25 А; Ptot, Вт = 16; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 879 @ 15; Qg, нКл = 6 @ 4,5 В; Rds = 15,1 мОм @ 8 A, 8 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА; WDFN-6 (Exp. Pad) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
CSD17318Q2 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD17318Q2 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD17318Q2 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
CSD17318Q2 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R |
товару немає в наявності |