Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD17318Q2
CSD17318Q2

CSD17318Q2 Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17318q2
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.09 грн
6000+8.35 грн
9000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD17318Q2 Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V, Power Dissipation (Max): 16W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WSON (2x2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V.

Інші пропозиції CSD17318Q2 за ціною від 7.52 грн до 42.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CSD17318Q2 CSD17318Q2 Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17318q2 Description: MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
на замовлення 12435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.50 грн
13+24.90 грн
100+15.97 грн
500+12.02 грн
1000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2 CSD17318Q2 Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17318q2 MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2T
на замовлення 5801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.93 грн
13+26.28 грн
100+14.64 грн
500+11.05 грн
1000+9.73 грн
3000+8.42 грн
6000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2 Texas Instruments csd17318q2.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 25 А, Ptot, Вт = 16, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 879 @ 15, Qg, нКл = 6 @ 4,5 В, Rds = 15,1 мОм @ 8 A, 8 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: WDFN-6 (Exp. Pad) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
250+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17318q2
CSD17318Q2
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
на замовлення 12435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.50 грн
13+24.90 грн
100+15.97 грн
500+12.02 грн
1000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17318q2
CSD17318Q2
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2T
на замовлення 5801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.93 грн
13+26.28 грн
100+14.64 грн
500+11.05 грн
1000+9.73 грн
3000+8.42 грн
6000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2 csd17318q2.pdf
Виробник: Texas Instruments
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 25 А, Ptot, Вт = 16, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 879 @ 15, Qg, нКл = 6 @ 4,5 В, Rds = 15,1 мОм @ 8 A, 8 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: WDFN-6 (Exp. Pad) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.