Технічний опис CSD17318Q2T Texas Instruments
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V, Power Dissipation (Max): 16W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WSON (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V.
Інші пропозиції CSD17318Q2T за ціною від 28.45 грн до 127.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD17318Q2T | Texas Instruments |
 Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V Power Dissipation (Max): 16W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD17318Q2T | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CSD17318Q2T | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V Power Dissipation (Max): 16W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V |
на замовлення 2670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CSD17318Q2T | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CSD17318Q2T | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD17318Q2T | Texas Instruments |
MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2 |
на замовлення 2902 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
CSD17318Q2T | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
CSD17318Q2T | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. |
| CSD17318Q2T |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 41.16 грн |
| 500+ | 36.28 грн |
| 750+ | 34.55 грн |
| 1250+ | 30.60 грн |
| 1750+ | 29.51 грн |
| 2500+ | 28.45 грн |
| CSD17318Q2T |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 41.96 грн |
| CSD17318Q2T |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 124.49 грн |
| 10+ | 76.05 грн |
| 100+ | 50.81 грн |
| CSD17318Q2T |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 127.78 грн |
| 10+ | 88.61 грн |
| 100+ | 54.41 грн |
| 250+ | 51.94 грн |
| CSD17318Q2T |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 111+ | 127.78 грн |
| 160+ | 88.61 грн |
| 260+ | 54.41 грн |
| 263+ | 51.94 грн |
| CSD17318Q2T |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2
MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| CSD17318Q2T |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CSD17318Q2T |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)