CSD17381F4T Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 33.23 грн |
| 500+ | 24.26 грн |
| 750+ | 23.02 грн |
| 1250+ | 20.43 грн |
| 1750+ | 19.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17381F4T Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 3-PICOSTAR, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): 12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V.
Інші пропозиції CSD17381F4T за ціною від 22.13 грн до 97.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD17381F4T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD17381F4T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD17381F4T | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V |
на замовлення 33215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD17381F4T | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17381 A 595-CSD17381F4 |
на замовлення 3094 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD17381F4T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
CSD17381F4T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
CSD17381F4T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
CSD17381F4T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
CSD17381F4T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
CSD17381F4T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| CSD17381F4T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 12A; 500mW Gate-source voltage: ±12V Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Case: PICOSTAR3 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.25Ω Power dissipation: 0.5W Drain current: 3.1A Pulsed drain current: 12A Drain-source voltage: 30V |
товару немає в наявності |