Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD17382F4
CSD17382F4

CSD17382F4 Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17382f4 Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.23 грн
22+14.45 грн
100+9.73 грн
500+7.05 грн
1000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD17382F4 Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 3-PICOSTAR, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Vgs (Max): 10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V.

Інші пропозиції CSD17382F4 за ціною від 5.21 грн до 34.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD17382F4 CSD17382F4 Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17382f4 MOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 67 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 7693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.25 грн
14+24.22 грн
100+9.39 грн
1000+7.27 грн
3000+6.24 грн
9000+5.50 грн
24000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17382F4 CSD17382F4 Виробник : Texas Instruments getliterature.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17382F4 CSD17382F4 Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17382f4 Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.