Технічний опис CSD17382F4T Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Supplier Device Package: 3-PICOSTAR, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-XFDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції CSD17382F4T за ціною від 20.43 грн до 96.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD17382F4T | Texas Instruments |
 Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CSD17382F4T | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD17382F4T | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CSD17382F4T | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V |
на замовлення 14010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD17382F4T | Texas Instruments |
MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17382F4 |
на замовлення 1504 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| CSD17382F4T |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 29.56 грн |
| CSD17382F4T |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 480+ | 29.56 грн |
| CSD17382F4T |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 37.93 грн |
| 500+ | 31.26 грн |
| 1250+ | 25.46 грн |
| 2500+ | 22.49 грн |
| 6250+ | 21.42 грн |
| 12500+ | 20.43 грн |
| CSD17382F4T |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
на замовлення 14010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.80 грн |
| 10+ | 47.41 грн |
| 100+ | 36.88 грн |
| CSD17382F4T |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17382F4
MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17382F4
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.65 грн |
| 10+ | 60.26 грн |
| 100+ | 30.17 грн |
| 500+ | 25.34 грн |
| 1000+ | 23.06 грн |
| 2500+ | 22.09 грн |