
CSD17506Q5A Texas Instruments
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 46.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17506Q5A Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V.
Інші пропозиції CSD17506Q5A за ціною від 40.88 грн до 132.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD17506Q5A | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD17506Q5A | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD17506Q5A | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD17506Q5A | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 2352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD17506Q5A | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 3312 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD17506Q5A | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 2352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD17506Q5A | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V |
на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD17506Q5A | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
CSD17506Q5A | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |