Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD17506Q5A
CSD17506Q5A

CSD17506Q5A Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17506q5a
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+129.70 грн
10+74.49 грн
100+54.99 грн
500+45.27 грн
1000+42.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD17506Q5A Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V.

Інші пропозиції CSD17506Q5A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
CSD17506Q5A Texas Instruments csd17506q5a_TI.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 100 А, Ptot, Вт = 3,2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1650 @ 15, Qg, нКл = 11 @ 4,5 В, Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,8 В @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: SON-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17506Q5A CSD17506Q5A Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17506q5a Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17506Q5A CSD17506Q5A Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17506q5a MOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17577Q5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17506Q5A csd17506q5a_TI.pdf
Виробник: Texas Instruments
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 100 А, Ptot, Вт = 3,2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1650 @ 15, Qg, нКл = 11 @ 4,5 В, Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,8 В @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: SON-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17506Q5A suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17506q5a
CSD17506Q5A
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17506Q5A suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17506q5a
CSD17506Q5A
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17577Q5A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.