CSD17573Q5BT Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 74.87 грн |
| 500+ | 66.06 грн |
| 750+ | 62.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17573Q5BT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V.
Інші пропозиції CSD17573Q5BT за ціною від 52.60 грн до 196.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CSD17573Q5BT | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
CSD17573Q5BT | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V |
на замовлення 1344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
CSD17573Q5BT | Texas Instruments |
MOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17573Q5B |
на замовлення 619 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| CSD17573Q5BT |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 86.61 грн |
| 500+ | 82.53 грн |
| 1000+ | 80.55 грн |
| CSD17573Q5BT |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 190.28 грн |
| 10+ | 118.84 грн |
| 100+ | 81.86 грн |
| CSD17573Q5BT |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17573Q5B
MOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17573Q5B
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 196.52 грн |
| 10+ | 125.43 грн |
| 100+ | 57.92 грн |
| 500+ | 54.26 грн |
| 1000+ | 52.81 грн |
| 2500+ | 52.60 грн |




