Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD17575Q3T
CSD17575Q3T

CSD17575Q3T Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17575q3
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
250+53.66 грн
500+47.02 грн
750+44.65 грн
1250+39.39 грн
1750+37.91 грн
2500+36.47 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD17575Q3T Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V.

Інші пропозиції CSD17575Q3T за ціною від 34.31 грн до 142.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
CSD17575Q3T CSD17575Q3T Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17575q3 MOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD17575Q3
на замовлення 4538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.40 грн
10+68.12 грн
25+58.96 грн
100+36.31 грн
250+34.45 грн
500+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17575Q3T CSD17575Q3T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17575q3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 108W; VSON-CLIP8
Kind of channel: enhancement
Case: VSON-CLIP8
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Dimensions: 3.3x3.3mm
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 108W
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+103.81 грн
6+74.79 грн
25+65.65 грн
100+59.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17575Q3T CSD17575Q3T Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17575q3 Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.12 грн
10+87.65 грн
100+59.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17575Q3T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17575q3
CSD17575Q3T
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD17575Q3
на замовлення 4538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+89.40 грн
10+68.12 грн
25+58.96 грн
100+36.31 грн
250+34.45 грн
500+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17575Q3T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17575q3
CSD17575Q3T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 108W; VSON-CLIP8
Kind of channel: enhancement
Case: VSON-CLIP8
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Dimensions: 3.3x3.3mm
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 108W
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+103.81 грн
6+74.79 грн
25+65.65 грн
100+59.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17575Q3T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17575q3
CSD17575Q3T
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+142.12 грн
10+87.65 грн
100+59.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.