CSD17575Q3T Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 59.14 грн |
| 750+ | 49.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17575Q3T Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V.
Інші пропозиції CSD17575Q3T за ціною від 47.62 грн до 156.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD17575Q3T | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
CSD17575Q3T | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 108W; VSON-CLIP8 Power dissipation: 108W Gate charge: 23nC Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Drain current: 60A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Dimensions: 3.3x3.3mm Kind of package: reel; tape Case: VSON-CLIP8 On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD |
на замовлення 118 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
CSD17575Q3T | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V |
на замовлення 5789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
CSD17575Q3T | Texas Instruments |
MOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD17575Q3 |
на замовлення 4538 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
CSD17575Q3T | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. |
| CSD17575Q3T |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 88.96 грн |
| 16+ | 47.62 грн |
| CSD17575Q3T |
|
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 108W; VSON-CLIP8
Power dissipation: 108W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Dimensions: 3.3x3.3mm
Kind of package: reel; tape
Case: VSON-CLIP8
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 108W; VSON-CLIP8
Power dissipation: 108W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Dimensions: 3.3x3.3mm
Kind of package: reel; tape
Case: VSON-CLIP8
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 105.75 грн |
| 6+ | 76.19 грн |
| 25+ | 66.87 грн |
| 100+ | 60.10 грн |
| CSD17575Q3T |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V
на замовлення 5789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 156.65 грн |
| 10+ | 96.60 грн |
| 50+ | 72.89 грн |
| 100+ | 57.76 грн |
| CSD17575Q3T |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD17575Q3
MOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD17575Q3
на замовлення 4538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| CSD17575Q3T |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)