Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD17576Q5BT
CSD17576Q5BT

CSD17576Q5BT Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17576q5b Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V
на замовлення 10250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+75.60 грн
500+62.30 грн
1250+50.75 грн
2500+44.84 грн
6250+42.70 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD17576Q5BT Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V.

Інші пропозиції CSD17576Q5BT за ціною від 43.70 грн до 145.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD17576Q5BT CSD17576Q5BT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17576q5b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 25nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: VSON-CLIP8
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.16 грн
5+81.23 грн
14+69.74 грн
37+65.90 грн
100+63.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17576Q5BT CSD17576Q5BT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17576q5b Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V
на замовлення 10477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.17 грн
10+94.49 грн
100+73.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17576Q5BT CSD17576Q5BT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17576q5b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 25nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: VSON-CLIP8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 501 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.79 грн
5+101.23 грн
14+83.68 грн
37+79.09 грн
100+76.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17576Q5BT CSD17576Q5BT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17576q5b MOSFETs 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.05 грн
10+97.29 грн
100+49.58 грн
500+43.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17576Q5BT CSD17576Q5BT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17576q5b Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17576Q5BT CSD17576Q5BT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17576q5b Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17576Q5BT CSD17576Q5BT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17576q5b Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17576Q5BT CSD17576Q5BT Виробник : Texas Instruments slps497.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.