CSD17576Q5BT TEXAS INSTRUMENTS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Dimensions: 5x6mm
Power dissipation: 125W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 64.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17576Q5BT TEXAS INSTRUMENTS
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V.
Інші пропозиції CSD17576Q5BT за ціною від 41.21 грн до 136.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD17576Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V |
на замовлення 10250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CSD17576Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V |
на замовлення 10477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD17576Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD17576Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
CSD17576Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
CSD17576Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| CSD17576Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |