Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD17576Q5BT
CSD17576Q5BT

CSD17576Q5BT TEXAS INSTRUMENTS

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17576q5b
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
на замовлення 376 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+61.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD17576Q5BT TEXAS INSTRUMENTS

Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc).

Інші пропозиції CSD17576Q5BT за ціною від 41.96 грн до 118.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CSD17576Q5BT CSD17576Q5BT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17576q5b Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
на замовлення 10250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+74.30 грн
500+61.23 грн
1250+49.88 грн
2500+44.06 грн
6250+41.96 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17576Q5BT CSD17576Q5BT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17576q5b Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
на замовлення 10477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.09 грн
10+92.86 грн
100+72.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17576Q5BT CSD17576Q5BT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17576q5b MOSFETs 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17576Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17576q5b
CSD17576Q5BT
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
на замовлення 10250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+74.30 грн
500+61.23 грн
1250+49.88 грн
2500+44.06 грн
6250+41.96 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17576Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17576q5b
CSD17576Q5BT
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
на замовлення 10477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.09 грн
10+92.86 грн
100+72.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17576Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17576q5b
CSD17576Q5BT
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.