CSD17577Q3AT Texas Instruments
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 41.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17577Q3AT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V.
Інші пропозиції CSD17577Q3AT за ціною від 35.54 грн до 125.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD17577Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
 Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD17577Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD17577Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD17577Q3AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 53W; VSONP8; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A Power dissipation: 53W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 12nC Dimensions: 3.3x3.3mm |
на замовлення 147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD17577Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V |
на замовлення 1943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD17577Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 30V NCH NexFET MOSFE T A 595-CSD17577Q3A |
на замовлення 1423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD17577Q3AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 53W; VSONP8; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A Power dissipation: 53W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 12nC Dimensions: 3.3x3.3mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 147 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD17577Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| CSD17577Q3AT | Виробник : Texas Instruments Incorporated (TI) |
MOSFET N-CH 30V 35A VSON-8 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
CSD17577Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |