Технічний опис CSD17577Q3AT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V.
Інші пропозиції CSD17577Q3AT за ціною від 35.69 грн до 780.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD17577Q3AT | Texas Instruments |
 Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
CSD17577Q3AT | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
CSD17577Q3AT | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 53W; VSONP8; 3.3x3.3mm Power dissipation: 53W Gate charge: 12nC Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Drain current: 35A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Dimensions: 3.3x3.3mm Kind of package: reel; tape Case: VSONP8 On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD |
на замовлення 124 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
CSD17577Q3AT | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V |
на замовлення 1910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
CSD17577Q3AT | Texas Instruments |
MOSFETs 30V NCH NexFET MOSFE T A 595-CSD17577Q3A A 595-CSD17577Q3A |
на замовлення 866 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
CSD17577Q3AT | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| CSD17577Q3AT | Texas Instruments |
MOSFET N-CH 30V 35A VSON-8 Транзистори |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| CSD17577Q3AT |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 45.57 грн |
| CSD17577Q3AT |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 50.55 грн |
| 500+ | 40.80 грн |
| 750+ | 39.76 грн |
| 1250+ | 36.36 грн |
| 1750+ | 35.69 грн |
| CSD17577Q3AT |
|
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 53W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Power dissipation: 53W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Dimensions: 3.3x3.3mm
Kind of package: reel; tape
Case: VSONP8
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 53W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Power dissipation: 53W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Dimensions: 3.3x3.3mm
Kind of package: reel; tape
Case: VSONP8
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 105.98 грн |
| 10+ | 78.90 грн |
| 25+ | 68.72 грн |
| 100+ | 55.15 грн |
| CSD17577Q3AT |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 108.63 грн |
| 10+ | 80.78 грн |
| 100+ | 49.07 грн |
| CSD17577Q3AT |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 30V NCH NexFET MOSFE T A 595-CSD17577Q3A A 595-CSD17577Q3A
MOSFETs 30V NCH NexFET MOSFE T A 595-CSD17577Q3A A 595-CSD17577Q3A
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| CSD17577Q3AT |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CSD17577Q3AT |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 35A VSON-8 Транзистори
MOSFET N-CH 30V 35A VSON-8 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 780.00 грн |