CSD17577Q3AT Texas Instruments
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 250+ | 42.63 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17577Q3AT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V. 
Інші пропозиції CSD17577Q3AT за ціною від 35.81 грн до 127.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | 
            Доступність             | 
        Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
                      | 
        CSD17577Q3AT | Виробник : Texas Instruments | 
            
                         Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R         | 
        
                             на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
| 
             | 
        CSD17577Q3AT | Виробник : Texas Instruments | 
            
                         Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R         | 
        
                             на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        CSD17577Q3AT | Виробник : Texas Instruments | 
            
                         Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V  | 
        
                             на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        CSD17577Q3AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS | 
            
                         Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 53W; VSONP8; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A Power dissipation: 53W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 3.3x3.3mm  | 
        
                             на замовлення 145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        CSD17577Q3AT | Виробник : Texas Instruments | 
            
                         Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V  | 
        
                             на замовлення 1910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        CSD17577Q3AT | Виробник : Texas Instruments | 
            
                         MOSFETs 30V NCH NexFET MOSFE T A 595-CSD17577Q3A         | 
        
                             на замовлення 1123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        CSD17577Q3AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS | 
            
                         Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 53W; VSONP8; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A Power dissipation: 53W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 3.3x3.3mm кількість в упаковці: 1 шт  | 
        
                             на замовлення 145 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        CSD17577Q3AT | Виробник : Texas Instruments | 
            
                         Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R         | 
        
                             на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        |||||||||||||||
| CSD17577Q3AT | Виробник : Texas Instruments Incorporated (TI) | 
            
                         MOSFET N-CH 30V 35A VSON-8         | 
        
                             на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) | 
        ||||||||||||||||
                      | 
        CSD17577Q3AT | Виробник : Texas Instruments | 
            
                         Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        



