Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD17578Q3AT
CSD17578Q3AT

CSD17578Q3AT Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17578q3a
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+49.89 грн
500+42.03 грн
750+40.21 грн
1250+36.52 грн
1750+36.40 грн
2500+35.63 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD17578Q3AT Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 37W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції CSD17578Q3AT за ціною від 48.04 грн до 131.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CSD17578Q3AT CSD17578Q3AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17578q3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 37W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Power dissipation: 37W
Gate charge: 7.9nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Dimensions: 3.3x3.3mm
Kind of package: reel; tape
Case: VSONP8
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.06 грн
7+67.87 грн
25+57.69 грн
100+51.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17578Q3AT CSD17578Q3AT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17578q3a Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V
на замовлення 4162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.63 грн
10+85.37 грн
100+48.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17578Q3AT CSD17578Q3AT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17578q3a MOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17578Q3A
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17578Q3AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17578q3a
CSD17578Q3AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 37W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Power dissipation: 37W
Gate charge: 7.9nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Dimensions: 3.3x3.3mm
Kind of package: reel; tape
Case: VSONP8
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+84.06 грн
7+67.87 грн
25+57.69 грн
100+51.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17578Q3AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17578q3a
CSD17578Q3AT
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V
на замовлення 4162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+131.63 грн
10+85.37 грн
100+48.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17578Q3AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17578q3a
CSD17578Q3AT
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17578Q3A
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.