CSD17579Q3AT Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 998 pF @ 15 V
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 53.1 грн |
| 500+ | 43.76 грн |
| 1250+ | 35.65 грн |
| 2500+ | 31.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17579Q3AT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 29W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 998 pF @ 15 V.
Інші пропозиції CSD17579Q3AT за ціною від 30.57 грн до 87.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD17579Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 998 pF @ 15 V |
на замовлення 5016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD17579Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET |
на замовлення 2190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD17579Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17579Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| CSD17579Q3AT | Виробник : Texas Instruments Incorporated (TI) |
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON |
на замовлення 44 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
CSD17579Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD17579Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD17579Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |