CSD17579Q5AT Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 50.74 грн |
| 500+ | 42.73 грн |
| 750+ | 40.86 грн |
| 1250+ | 37.09 грн |
| 1750+ | 36.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17579Q5AT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V.
Інші пропозиції CSD17579Q5AT за ціною від 35.61 грн до 128.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD17579Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 30V N-Channel NexFET Power MOSFET |
на замовлення 1144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
CSD17579Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V |
на замовлення 2209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| CSD17579Q5AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
CSD17579Q5AT SMD N channel transistors |
на замовлення 237 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
CSD17579Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
CSD17579Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
CSD17579Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |