Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD17579Q5AT
CSD17579Q5AT

CSD17579Q5AT Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17579q5a
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+51.49 грн
500+45.08 грн
750+42.78 грн
1250+37.73 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD17579Q5AT Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції CSD17579Q5AT за ціною від 34.45 грн до 143.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CSD17579Q5AT CSD17579Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17579q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; 36W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Power dissipation: 36W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.07 грн
6+73.12 грн
25+63.15 грн
100+61.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17579Q5AT CSD17579Q5AT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17579q5a Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.46 грн
10+84.28 грн
100+56.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17579Q5AT CSD17579Q5AT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17579q5a MOSFETs 30V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17579Q5A
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.36 грн
10+90.50 грн
100+45.98 грн
500+39.63 грн
1000+35.83 грн
2500+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17579Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17579q5a
CSD17579Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; 36W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Power dissipation: 36W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+93.07 грн
6+73.12 грн
25+63.15 грн
100+61.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17579Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17579q5a
CSD17579Q5AT
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.46 грн
10+84.28 грн
100+56.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17579Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17579q5a
CSD17579Q5AT
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 30V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17579Q5A
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+143.36 грн
10+90.50 грн
100+45.98 грн
500+39.63 грн
1000+35.83 грн
2500+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.